SiC-подложка
Описание
Карбид кремния (SiC) — бинарное соединение групп IV-IV, единственное стабильное твердое соединение в группе IV периодической таблицы. Это важный полупроводник.Карбид кремния обладает превосходными термическими, механическими, химическими и электрическими свойствами, что делает его одним из лучших материалов для изготовления высокотемпературных, высокочастотных и мощных электронных устройств. Карбид кремния также можно использовать в качестве материала подложки. для синих светодиодов на основе GaN.В настоящее время 4H-SiC является основной продукцией на рынке, а тип проводимости делится на полуизолирующий тип и тип N.
Характеристики
| Элемент | 2 дюйма, 4H, тип N | ||
| Диаметр | 2 дюйма (50,8 мм) | ||
| Толщина | 350+/-25ум | ||
| Ориентация | от оси 4,0° в сторону <1120> ± 0,5° | ||
| Первичная плоская ориентация | <1-100> ± 5° | ||
| Вторичная квартира Ориентация | 90,0° по часовой стрелке от первичной плоскости ± 5,0°, Si лицевой стороной вверх | ||
| Основная плоская длина | 16 ± 2,0 | ||
| Вторичная плоская длина | 8 ± 2,0 | ||
| Оценка | Производственный класс (P) | Исследовательский уровень (R) | Фиктивная оценка (D) |
| Удельное сопротивление | 0,015~0,028 Ом·см | < 0,1 Ом·см | < 0,1 Ом·см |
| Плотность микротрубок | ≤ 1 микротрубок/см² | ≤ 10 микротрубок/см² | ≤ 30 микротрубок/см² |
| Шероховатость поверхности | Лицо Si CMP Ra <0,5 нм, Лицо C Ra <1 нм | Н/Д, полезная площадь > 75% | |
| ТТВ | < 8 мкм | < 10 мкм | < 15 мкм |
| Поклон | < ±8 мкм | < ±10 мкм | < ±15 мкм |
| Деформация | < 15 мкм | < 20 мкм | < 25 мкм |
| Трещины | Никто | Суммарная длина ≤ 3 мм | Совокупная длина ≤10 мм, |
| Царапины | ≤ 3 царапины, совокупно | ≤ 5 царапин, совокупно | ≤ 10 царапин, совокупно |
| Шестигранные пластины | максимум 6 тарелок, | максимум 12 тарелок, | Н/Д, полезная площадь > 75% |
| Политипные области | Никто | Совокупная площадь ≤ 5% | Совокупная площадь ≤ 10% |
| Загрязнение | Никто | ||
