-
Субстрат ПМН-ПТ
1. Высокая гладкость
2.Высокое соответствие решетки (MCT)
3. Низкая плотность дислокаций
4. Высокий коэффициент пропускания инфракрасного излучения -
Субстрат CaF2
1. Отличная производительность ИК
-
CZT-субстрат
Высокая гладкость
2.Высокое соответствие решетки (MCT)
3. Низкая плотность дислокаций
4. Высокий коэффициент пропускания инфракрасного излучения -
Подложка LiF
1. Отличная производительность ИК
-
Субстрат BaF2
1. ИК-производительность, хороший оптический коэффициент пропускания
-
Ge подложка
1. Легированный Sb/N
2. Никакого допинга
3.Полупроводник
-
Субстрат LiNbO3
1. Пьезоэлектрические, фотоэлектрические и акустооптические характеристики.
2. Низкие потери при передаче акустической волны
3. Низкая скорость распространения поверхностных акустических волн.
-
LGS-субстрат
1. Высокая термическая стабильность
2. Низкое эквивалентное последовательное сопротивление и коэффициент электромеханической связи в 3-4 раза больше кварца.
-
Субстрат KTaO3
1. Структура перовскита и пирохлора.
2. Сверхпроводящие тонкие пленки.
-
Субстрат LiTaO3
1. Хорошие электрооптические, пьезоэлектрические и пироэлектрические свойства.
-
Субстрат DyScO3
1. Хорошие свойства соответствия большой решетки.
2. Отличные сегнетоэлектрические свойства.
-
Подложка LaAlO3
1. Низкая диэлектрическая проницаемость.
2. Низкие потери СВЧ.
3. Тонкая высокотемпературная сверхпроводящая пленка.
