Подложка LiAlO2

Подложка LiAlO2 представляет собой подложку, изготовленную из оксида лития-алюминия (LiAlO2).LiAlO2 представляет собой кристаллическое соединение, принадлежащее пространственной группе R3m, имеющее треугольную кристаллическую структуру.

Подложки LiAlO2 использовались в различных приложениях, включая выращивание тонких пленок, эпитаксиальные слои и гетероструктуры для электронных, оптоэлектронных и фотонных устройств.Благодаря своим превосходным физическим и химическим свойствам он особенно подходит для разработки полупроводниковых приборов с широкой запрещенной зоной.

Одним из основных применений подложек LiAlO2 является создание устройств на основе нитрида галлия (GaN), таких как транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) и светоизлучающие диоды (LED).Рассогласование решеток между LiAlO2 и GaN относительно невелико, что делает его подходящей подложкой для эпитаксиального роста тонких пленок GaN.Подложка LiAlO2 обеспечивает высококачественную матрицу для осаждения GaN, что приводит к повышению производительности и надежности устройства.

Подложки LiAlO2 также используются в других областях, таких как выращивание сегнетоэлектрических материалов для устройств памяти, разработка пьезоэлектрических устройств и изготовление твердотельных батарей.Их уникальные свойства, такие как высокая теплопроводность, хорошая механическая стабильность и низкая диэлектрическая проницаемость, дают им преимущества в этих применениях.

Таким образом, подложка LiAlO2 относится к подложке, изготовленной из оксида лития-алюминия.Подложки LiAlO2 используются в различных приложениях, особенно для выращивания устройств на основе GaN и разработки других электронных, оптоэлектронных и фотонных устройств.Они обладают желаемыми физическими и химическими свойствами, которые делают их пригодными для нанесения тонких пленок и гетероструктур и повышают производительность устройств.