Ge подложка

Подложка Ge относится к подложке, изготовленной из элементарного германия (Ge).Германий — полупроводниковый материал с уникальными электронными свойствами, которые делают его пригодным для различных электронных и оптоэлектронных приложений.

Подложки Ge обычно используются при производстве электронных устройств, особенно в области полупроводниковых технологий.Они используются в качестве базовых материалов для нанесения тонких пленок и эпитаксиальных слоев других полупроводников, таких как кремний (Si).Подложки Ge можно использовать для выращивания гетероструктур и сложных полупроводниковых слоев с особыми свойствами для таких приложений, как высокоскоростные транзисторы, фотодетекторы и солнечные элементы.

Германий также используется в фотонике и оптоэлектронике, где его можно использовать в качестве подложки для выращивания инфракрасных (ИК) детекторов и линз.Подложки Ge обладают свойствами, необходимыми для инфракрасных применений, такими как широкий диапазон пропускания в средней инфракрасной области и превосходные механические свойства при низких температурах.

Подложки Ge имеют решетчатую структуру, близко подходящую к кремниевой, что делает их совместимыми для интеграции с электроникой на основе Si.Эта совместимость позволяет создавать гибридные структуры и разрабатывать современные электронные и фотонные устройства.

Таким образом, подложка Ge относится к подложке, изготовленной из германия, полупроводникового материала, используемого в электронных и оптоэлектронных приложениях.Он служит платформой для выращивания других полупроводниковых материалов, позволяя создавать различные устройства в области электроники, оптоэлектроники и фотоники.