GaAs-подложка
Описание
Арсенид галлия (GaAs) — важное и развитое полупроводниковое соединение группы III-Ⅴ, широко используемое в области оптоэлектроники и микроэлектроники.GaAs в основном делится на две категории: полуизолирующий GaAs и GaAs N-типа.Полуизолирующий GaAs в основном используется для изготовления интегральных схем со структурами MESFET, HEMT и HBT, которые используются в радиолокационной, микроволновой и миллиметровой волновой связи, сверхвысокоскоростных компьютерах и оптоволоконной связи.GaAs N-типа в основном используется в лазерах LD, светодиодах, ближнем инфракрасном диапазоне, мощных лазерах с квантовыми ямами и высокоэффективных солнечных элементах.
Характеристики
| Кристалл | Легированный | Тип проводимости | Концентрация потоков см-3 | Плотность см-2 | Метод роста |
| GaAs | Никто | Si | / | <5×105 | ЛЭК |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
Определение подложки GaAs
Подложка GaAs относится к подложке, изготовленной из кристаллического материала арсенида галлия (GaAs).GaAs представляет собой сложный полупроводник, состоящий из элементов галлия (Ga) и мышьяка (As).
Подложки GaAs часто используются в области электроники и оптоэлектроники благодаря своим превосходным свойствам.Некоторые ключевые свойства подложек GaAs включают:
1. Высокая подвижность электронов: GaAs имеет более высокую подвижность электронов, чем другие распространенные полупроводниковые материалы, такие как кремний (Si).Эта характеристика делает подложку GaAs подходящей для высокочастотного мощного электронного оборудования.
2. Прямая запрещенная зона: GaAs имеет прямую запрещенную зону, что означает, что эффективное излучение света может происходить при рекомбинации электронов и дырок.Эта характеристика делает подложки GaAs идеальными для оптоэлектронных приложений, таких как светоизлучающие диоды (LED) и лазеры.
3. Широкая запрещенная зона. GaAs имеет более широкую запрещенную зону, чем кремний, что позволяет ему работать при более высоких температурах.Это свойство позволяет устройствам на основе GaAs более эффективно работать в высокотемпературных средах.
4. Низкий уровень шума. Подложки GaAs обладают низким уровнем шума, что делает их пригодными для малошумящих усилителей и других чувствительных электронных устройств.
Подложки GaAs широко используются в электронных и оптоэлектронных устройствах, включая высокоскоростные транзисторы, микроволновые интегральные схемы (ИС), фотоэлектрические элементы, детекторы фотонов и солнечные элементы.
Эти подложки могут быть приготовлены с использованием различных методов, таких как химическое осаждение металлорганических соединений из паровой фазы (MOCVD), молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE) или жидкофазная эпитаксия (LPE).Конкретный используемый метод выращивания зависит от желаемого применения и требований к качеству подложки GaAs.
